單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測量精度，100:1寬量程比，穩(wěn)定性高、響應速度快、可靠性高，自帶HART通訊功能方便手操器調(diào)試，具有本質(zhì)安全型、隔爆型、選配多種隔離膜片結(jié)構(gòu)，多種過程連接標準，適用微壓、絕壓、負壓、高溫高壓、低溫和腐蝕條件的壓力測量。

一、單晶硅壓力變送器工作原理

利用單晶硅的壓阻效應而構(gòu)成。采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。當壓力發(fā)生變化時，單晶硅產(chǎn)生應變，使直接擴散在上面的應變電阻產(chǎn)生與被測壓力成比例的變化，再由橋式電路獲得相應的電壓輸出信號。

二、單晶硅壓力變送器技術(shù)參數(shù)

測量范圍
相對壓力：0～400Pa～35MPa

J.D壓力：0～1.75KPa～35MPa
信號輸出
4-20mA +HART通訊協(xié)議（兩線制）

測量精度
綜合誤差：0.1%（包括線性度、重復性、遲滯），特殊要求可定0.075%

長期穩(wěn)定性
每年優(yōu)于0.15%F.S
五年優(yōu)于0.2%F.S
溫度范圍

允許介質(zhì)溫度：（-40～120）℃

允許環(huán)境溫度：（-40～85）℃

允許儲存溫度：（-40～85）℃

溫度影響
相對于25℃：≤±0.4%標準量程

阻尼時間
0~40S連續(xù)可調(diào)

抗震動：2g 1000HZ ±0.05%g

抗沖擊：50g 11mesc

電磁兼容特性：符合IEC801標準

傳感器允許過壓：標準量程3倍壓力

零點z.ui小報警電流范圍：3.8mA

滿度z.ui大報警電流范圍：21mA

啟動時間：3S 無需預熱

與介質(zhì)接觸部分材料

過程連接件：不銹鋼316， 哈氏合金C

傳感器膜片：不銹鋼316， 哈氏合金C

與介質(zhì)非接觸部分材料

外殼：壓鑄鋁帶環(huán)氧樹脂涂層

傳感器充灌液:硅油 厭氧油

現(xiàn)場顯示:液晶3 1/2精度數(shù)字式顯示器 液晶模擬條狀顯示器

防護等級:IP66

重量:約1Kg

防爆等級防爆型 Ex d ⅡC T5 ，本安型 Ex ia ⅡC T5

允許環(huán)境濕度:99%RH